发布日期:2024-12-29 08:27 点击次数:195
(原标题:三星电子、SK海力士,时刻不对!)
要是您但愿不错频频碰头,接待标星储藏哦~
开端:推行详细自鸠合,谢谢。
三星和SK海力士在EUV光刻时刻限度分谈扬镳
三星专注于进步良率,而SK海力士则专注于弥远时刻逾越。
韩国两泰半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外(EUV)光刻时刻上吸收了不同的策略,引起了业界的高度热心。这一发展正巧两家公司齐戮力于增强其在高度动态和竞争强烈的半导体阛阓中的竞争力之际。
看成年终组织重组的一部分,三星电子在众人制造和基础法度总部属配置了一个新的使命组(TF),名为“EUV Synergy TF”。此举被视为提精好意思致密半导体制造(举例 3 纳米 (nm) 代工场)良率的接力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 蛊卦惩办,重心是进步光刻和追踪蛊卦的分娩率。该团队的指标是最大完了地进步EUV光刻蛊卦中使用的多样材料和组件的分娩率,其中包括ASML独家供应的价值200亿好意思元的光刻机和东京电子的EUV轨谈蛊卦。
三星对 EUV 时刻的得意体目前其对 EUV 光刻机的无数投资。该公司已在其华城和平泽工场购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上,关于分娩更小、更复杂的半导体电路至关进军。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺,尔后在进步其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工场的良率方面濒临挑战。
杨方优配比拟之下,SK海力士则吸收了不同的作念法。该公司在本年的组织重组中完了了EUV TF,并将其并入异日时刻策画院。此举突显了 SK 海力士对弥远时刻逾越的热心,而不是咫尺产量的进步。SK 海力士于 2021 年开动将 EUV 阁下于其 10 纳米级第四代 DRAM,目前在利川的 M16 工场运营着 10 多台 EUV 机器。
美国8月非农就业人口增加23.50万,创2021年1月以来最小增幅,远不及预期的增加72.50万,前值上修为增加105.3万。这可能会让美联储围绕缩减购债规模的讨论变得更加有看点。
瞻望异日,SK海力士异日时刻策画所掂量将重心准备推出下一代 EUV 光刻蛊卦,即高数值孔径机器。SK海力士掂量最早将于来岁下半年收到其第一台高NA机器。这一计谋升沉突显了 SK 海力士戮力于保抓时刻起先地位并为半导体制造的异日逾越作念好准备。
NAND衰败时间,正规配资三星和SK海力士用逸待劳降本
三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND衰败时间实施“镌汰资本”投资策略。据了解,该公司最近开动戮力于大幅减少留传NAND产量,同期将开工率较低的旧法度修订为发轫进的法度。
据业内东谈主士近日知道,三星电子和SK海力士条目主要协作伙伴在本年下半年对现存NAND法度进行修订。
近来,由于PC和智妙手机等IT需求低迷,NAND阛阓价钱呈下滑趋势。字据阛阓策画公司Trend Force的数据,用于存储卡和USB的通用NAND闪存居品(128Gb 16Gx8 MLC)的平均固定交游价钱为2.16好意思元,环比着落29.80%。
尤其是老款NAND,举例第7代,供应严重足够。除了IT需求着落以外,日本Kiosia、中国厂商等其后者也加入了竞争。
第 7 代(V7)NAND 是存储存储器的单位堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能跟着堆叠更多单位而进步。三星电子和SK海力士将从2021年底开动量产第7代NAND。
相应地,国内存储器行业镌汰了7代NAND的开工率,并条目协作伙伴进行修订,将闲置的法度用作8代和9代NAND的法度。此外,还决定推迟或减少现存顶端NAND的新法度投资谈判。
https://zdnet.co.kr/view/?no=20241227095152
https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=232652#google_vignette
半导体佳构公众号推选
专注半导体限度更多原创推行
热心众人半导体产业动向与趋势
*免责声明:本文由作家原创。著述推行系作家个东谈主不雅点,半导体行业不雅察转载仅为了传达一种不同的不雅点,不代表半导体行业不雅察对该不雅点赞同或相沿,要是有任何异议,接待干系半导体行业不雅察。
今天是《半导体行业不雅察》为您共享的第3989期推行,接待热心。
『半导体第一垂直媒体』
及时 专科 原创 深度
公众号ID:icbank
心爱咱们的推行就点“在看”共享给小伙伴哦